MSP430 FRAM微控制器
MSP430 FRAM是德州仪器铁电存储器（FRAM）的新系列
非易失性铁电存储器(通称FRAM 或FeRAM) 越趋普及，渐渐成为闪存(FLASH)的替代品。
FRAM比FLASH更能防止资料损耗，因FRAM采用铁电物质制造， 对磁场和辐射有高抗性，适用于苛刻的作业环境。它亦有更长的数据保留和更快的写操作时间，以及无限制的擦除次数。
MSP430FR57xx FRAM微控制器的好處和特徵
1. 在运行编码时可将业界最活跃能量减至一半，运作环境为100µA/MHz（活跃模式）及3 µA（实时时钟模式）
2. 拥有超过百万亿个耐力写操作次数，可支援持续性记录数据，无需使用昂贵的外置式EEPROM或以电池供电的SRAM
3. 统一内存使开发者能更容易改变程序，数据以及高速缓存的记忆体分区，以节省系统成本及有效地管理库存
4. 在各电源模式下，均保证写操作及数据保留，保障编码安全性，简化开发程序，节省测试记忆体成本，加强终端产品可信性
5. 允许可靠远程软件升级，以提供更便宜更容易的软件升级路径予设备开发商
6. 集成FRAM的密度可达至16kB及提供模拟和连接外设选项，包括10位模数转换器，32位硬件乘法器，及多达5个16位定时器和多种已增强SPI/I2C /UART总线
7. 在不同MSP平台的编码兼容性，加上低成本、容易使用的工具，全面的文档、使用手册及范例编码，使工程师能快速开发产品
8. 与广泛德州仪器的射频(RF)工具兼容，简化系统开发程序
9. 启用智能无电池射频连接解决方案
FR57XX微控制器是建基于德州仪器的高阶，130纳米嵌入式FRAM程序。
设备和评估板将在短期内登陆RS网站。
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